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半導(dǎo)體級(jí)直拉法的工藝控制\進(jìn)入21世紀(jì)以來(lái),隨著新興產(chǎn)業(yè)的科技創(chuàng)新,半導(dǎo)體行業(yè)得到了的發(fā)展。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅猛,尤其近幾年,大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),縮短該行業(yè)與世界水平的差距。目前雖然有許多新興材料來(lái)替代硅材料,但未來(lái)幾年可以預(yù)見(jiàn),硅材料由于其成熟的技術(shù)品質(zhì)和穩(wěn)定的物理化學(xué)性質(zhì),將會(huì)在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間里是主流材料。硅單晶作為主要材料,應(yīng)用的領(lǐng)域也是相當(dāng)廣泛的。硅單晶是由多晶硅原料經(jīng)過(guò)物理變化,讓硅原子按照人為設(shè)定的方向進(jìn)行生長(zhǎng),終形成的。一般會(huì)采用直拉法進(jìn)行制備。晶圓的直徑越大,集成電路制造的成本將會(huì)越低,因此要求作為材料的硅單晶的直徑也要相應(yīng)的增大。這里面涉及到了一系列問(wèn)題。這篇論文主要討論的是通過(guò)對(duì)熱場(chǎng)的設(shè)計(jì),工藝的過(guò)程控制,減少位錯(cuò)的產(chǎn)生,以及通過(guò)化學(xué)腐蝕對(duì)位錯(cuò)進(jìn)行檢測(cè)的相關(guān)問(wèn)題。

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