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全文摘要為減少直拉式單晶生長爐的消耗的技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種直拉式單晶生長爐，其包括輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)輸入管輸入的氣壓為0.8×10³Pa0.9×10³Pa，流量為30L/min。還包括設于坩堝支持器下方和排氣口之間的碗形氣流導向裝置；其包括中軸孔、一對電極孔、以及與排氣口相對的通氣孔；石墨中軸穿過所述氣流導向裝置的中軸孔，所述電極柱分別穿過所述電極孔，排氣口與氣流導向裝置的各通氣孔相連通，氣流導向裝置的上端部設于保溫筒與發(fā)熱體之間。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現(xiàn)自動控制，生產(chǎn)，易于制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質(zhì)濃度，可以制備低電阻率單晶。據(jù)統(tǒng)計，世界上硅單晶的產(chǎn)量中70％～80％是用直拉法生產(chǎn)的。目前晶體生長設備的現(xiàn)狀\江南電力光伏科技有限江南電力光伏科技有限，引進消化吸收國外技術(shù)研發(fā)環(huán)保清潔可再生新能源產(chǎn)品——太陽能光伏發(fā)電站和風力發(fā)電站的相關設備。其中硅單晶生長爐設備有兩大系列三個品種，具有自主知識產(chǎn)權(quán)。生產(chǎn)的單晶硅生長爐（TDR85/95/105-JN）TDR—JN系列全自動晶體生長爐具有自主知識產(chǎn)權(quán)，是采用直拉法生長P型或N型單晶硅材料的設備。裝料量從95Kg～150Kg，可拉制6"～12"電路級和太陽能級單晶硅棒。