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因此，在向單晶爐內(nèi)不斷充入 的同時，還用真空泵將混合氣體排出爐外；在排氣時，混合氣體流經(jīng) 爐中的加熱器、坩堝支持器等處，后經(jīng)過爐下端的排氣口排出。上述圖1的單晶爐的不足之處在于單晶爐內(nèi)空間較大，尤其是坩堝 支持器下方的空間較大，導(dǎo)致坩堝支持器下方的混合氣體不能及時排出， 熱能消耗量較大；另外，現(xiàn)有技術(shù)中，從輸入管向爐內(nèi)充入時， 充氣氣壓為1. 3x 103pa，流量為40L/min,因此其消耗量大，生產(chǎn) 成本較高。

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發(fā)明內(nèi)容、本發(fā)明的目的是提供一種易于及時排出爐內(nèi)的混合氣體，且可減少熱 能及消耗的直拉式單晶生長爐。實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術(shù)方案是提供一種直拉式單晶生長爐，其包括 輸入管、與輸入管相連通的環(huán)形氣體分布器；其特征在于經(jīng)氬 氣輸入管輸入的氣壓為0. 8xl0a0. 9xl0a,流量為 30L/min。上述技術(shù)方案中，還包括設(shè)于直拉式單晶生長爐的坩堝支持器下方和 該爐底部的排氣口之間的氣流導(dǎo)向裝置；該氣流導(dǎo)向裝置為碗形，其包括 設(shè)于氣流導(dǎo)向裝置底部的中軸孔、設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)的 一對電極孔、 以及設(shè)于所述中軸孔兩側(cè)并與該爐的排氣口相對的通氣孔；該爐的石墨中 軸穿過所述氣流導(dǎo)向裝置的中軸孔，該爐的 一對電極柱分別穿過所述電極 孔，該爐的排氣口與氣流導(dǎo)向裝置的各通氣孔相連通，氣流導(dǎo)向裝置的上 端部設(shè)于該爐的保溫筒與發(fā)熱體之間。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯，這個過程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個單晶拉制過程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。