一、測(cè)試前準(zhǔn)備

1. 文檔審查

• 確認(rèn)技術(shù)文件完整性：包括設(shè)計(jì)圖紙、控制邏輯圖、保護(hù)定值單、型式試驗(yàn)報(bào)告（需符合 GB/T 11022-2020）。
• 核查智能控制系統(tǒng)配置文件（如 SCD 文件、Modbus 寄存器映射表）MVnex550。

2. 設(shè)備與工具校驗(yàn)

• 測(cè)試設(shè)備：OMICRON CPC100（精度 0.05%）、TESEQ PD100（局放分辨率 1pC）、Fluke TiX1200（熱靈敏度≤0.03℃）。
• 校準(zhǔn)要求：設(shè)備需在有效期內(nèi)（如 OMICRON 每 12 個(gè)月校準(zhǔn)一次），校準(zhǔn)證書。

3. 環(huán)境條件確認(rèn)

• 實(shí)驗(yàn)室環(huán)境：溫度 25℃±2℃，濕度≤60%，工頻磁場(chǎng)≤10μTMVnex550。
• 現(xiàn)場(chǎng)環(huán)境：無(wú)強(qiáng)電磁干擾（如電焊機(jī)、變頻器需關(guān)閉），接地電阻≤0.5Ω。

二、設(shè)計(jì)驗(yàn)證階段

1. 數(shù)字孿生仿真測(cè)試

• 步驟：
  1. 使用 MATLAB/Simulink 搭建控制邏輯模型，注入 、120%、150% 負(fù)載電流波形。
  2. 通過(guò) PSCAD 驗(yàn)證保護(hù)動(dòng)作時(shí)間（需≤10ms）、過(guò)電壓效果（殘壓≤2.5p.u.）。
• 標(biāo)準(zhǔn)：符合 IEEE C37.236 對(duì)保護(hù)邏輯的要求MVnex550。

2. 硬件在環(huán)（HiL）測(cè)試

• 步驟：
  1. 在 RT-LAB 平臺(tái)上模擬 1000 + 組故障波形（含雷電沖擊、操作過(guò)電壓）。
  2. 驗(yàn)證傳感器響應(yīng)時(shí)間（≤10ms）、控制器冗余切換時(shí)間（≤200ms）。
• 標(biāo)準(zhǔn)：滿足 DL/T 1439-2015 對(duì)智能變電站設(shè)備的要求。

三、工廠測(cè)試階段

1. 功能完整性測(cè)試

• 項(xiàng)目：
  • 五防連鎖驗(yàn)證：模擬 1000 次誤操作（如帶電合閘）MVnex550，連鎖失效概率＜0.01%。
  • 遠(yuǎn)程控制測(cè)試：通過(guò)主站發(fā)送分合閘命令，響應(yīng)時(shí)間≤100ms（光纖通道）。
• 設(shè)備：OMICRON CPC100、數(shù)字示波器（采樣率 5GSa/s）。

2. 性能基準(zhǔn)測(cè)試

• 項(xiàng)目：
  • 溫升控制驗(yàn)證：1.1 倍額定電流運(yùn)行 4h，觸頭溫升≤105K（GB/T 11022-2020）。
  • 局放檢測(cè)：注入 10pC 標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)，檢測(cè)率≥99%，誤報(bào)率≤0.1%。
• 設(shè)備：Fluke TiX1200、TESEQ PD100。

3. 環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試

• 項(xiàng)目：
  • 高低溫交變：-40℃~+70℃循環(huán) 10 次后功能正常（IEC 60068-2-14）MVnex550。
  • 鹽霧試驗(yàn)：96 小時(shí)鹽霧后絕緣電阻≥1000MΩ（GB/T 2423.17）。
• 設(shè)備：高低溫試驗(yàn)箱、鹽霧試驗(yàn)機(jī)。

四、現(xiàn)場(chǎng)調(diào)試階段

1. 整組傳動(dòng)試驗(yàn)

• 步驟：
  1. 模擬相間短路、單相接地等 12 種故障類型，驗(yàn)證保護(hù)動(dòng)作正確率 。
  2. 測(cè)試主站 - 子站通信延遲（光纖≤10ms，無(wú)線≤50ms）。
• 標(biāo)準(zhǔn)：符合 DL/T 593-2016 對(duì)保護(hù)動(dòng)作特性的要求。

2. 帶載能力驗(yàn)證

• 步驟：
  1. 進(jìn)行 →120%→150% 階梯負(fù)載試驗(yàn)，記錄智能控制系統(tǒng)調(diào)節(jié)過(guò)程（響應(yīng)時(shí)間≤300ms）。
  2. 執(zhí)行 N-1 冗余測(cè)試（斷開(kāi)任一傳感器）MVnex550，系統(tǒng)應(yīng)自動(dòng)切換至降級(jí)模式。
• 設(shè)備：功率分析儀（精度 0.1%）、可編程電子負(fù)載。

3. 電磁兼容性（EMC）測(cè)試

• 項(xiàng)目：
  • 工頻磁場(chǎng)抗擾度：10V/m（100kHz~30MHz），誤動(dòng)作率≤0.01%（IEC 61000-6-2）。
  • 靜電放電：接觸放電 ±8kV，空氣放電 ±15kV 后功能正常（IEC 61000-4-2）。
• 設(shè)備：Schwarzbeck 場(chǎng)強(qiáng)、Teseq NSG 438。

五、測(cè)試記錄與報(bào)告

1. 數(shù)據(jù)記錄：

   • 使用 Excel 模板記錄測(cè)試時(shí)間、參數(shù)、結(jié)果（如溫升曲線、保護(hù)動(dòng)作時(shí)間）MVnex550。
   • 保存原始波形文件（如 OMICRON 的 *.dat 文件、Fluke 熱像圖）。

2. 報(bào)告編制：

   • 測(cè)試報(bào)告應(yīng)包含 測(cè)試目的、方法、結(jié)果、結(jié)論，并附不合格項(xiàng)整改措施。
   • 報(bào)告需經(jīng)雙人審核并簽字，存檔期限≥5 年（符合 ISO 9001 要求）。

六、持續(xù)優(yōu)化階段

1. 數(shù)據(jù)分析：

   • 使用 Python 或 MATLAB 對(duì)歷史數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)分析（如溫升趨勢(shì)、保護(hù)動(dòng)作頻次）。
   • 建立 AI 模型預(yù)測(cè)設(shè)備壽命（如基于 XGBoost 的觸頭老化預(yù)測(cè)）。

2. 迭代改進(jìn)：

   • 每季度更新測(cè)例MVnex550，納入新標(biāo)準(zhǔn)要求（如 GB/T 3804-2020 新增的局放檢測(cè)項(xiàng)）。
   • 對(duì)測(cè)試中發(fā)現(xiàn)的共性問(wèn)題（如通信延遲），啟動(dòng)設(shè)計(jì)變更流程。

關(guān)鍵注意事項(xiàng)

1. 安全操作：測(cè)試前斷開(kāi)所有電源，懸掛 “高壓危險(xiǎn)” 標(biāo)識(shí)，穿戴絕緣裝備。
2. 版本管理：記錄測(cè)試時(shí)的軟件版本、配置文件哈希值，確?？勺匪菪?。
3. 第三方見(jiàn)證：山西廣靈MVnex550ComPacT系列塑殼斷路器及開(kāi)關(guān)重要測(cè)試（如短路耐受試驗(yàn)）需邀請(qǐng)客戶或認(rèn)證機(jī)構(gòu)現(xiàn)場(chǎng)見(jiàn)證。