納米銀燒結(jié)成為碳化硅器件封裝核心工藝。相比于傳統(tǒng)的軟釬焊工藝，善仁新材的低溫納米銀燒結(jié)技術(shù)有利于提升產(chǎn)品的可靠性，使用的銀材料具有高導(dǎo)電率、高導(dǎo)熱率等特點，近年頗受業(yè)界關(guān)注。

當下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

實現(xiàn)低溫燒結(jié)銀進行大面積封裝的可靠互連，促進電力電子半導(dǎo)體器件的高溫可靠應(yīng)用是電力電子器件發(fā)展的必然趨勢。