傳統(tǒng)釬焊料熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性差，難以滿(mǎn)足高功率器件封裝及其高溫應(yīng)用要求。此外隨著第三代半導(dǎo)體器件（如碳化硅和氮化鎵等）的快速發(fā)展，對(duì)封裝的性能方面提出了更為嚴(yán)苛的要求。AS9385有壓銀燒結(jié)技術(shù)是一種新型的高可靠性連接技術(shù)，在功率模塊封裝中的應(yīng)用受到越來(lái)越多的關(guān)注。

SHAREX的AS9385銀燒結(jié)技術(shù)也被成為低溫連接技術(shù)（Low temperature joining technique,LTJT），作為一種新型無(wú)鉛化芯片互連技術(shù)，AS9385燒結(jié)銀可在低溫（＜250℃）條件下獲得耐高溫（＞700℃）和高導(dǎo)熱率（~240 W/m·K）的燒結(jié)銀芯片連接界面，具有以下幾方面優(yōu)勢(shì)：

2.銀燒結(jié)技術(shù)原理
AS9385銀燒結(jié)技術(shù)是一種對(duì)微米級(jí)及以下的銀顆粒在250℃以下進(jìn)行燒結(jié)，通過(guò)原子間的擴(kuò)散從而實(shí)現(xiàn)良好連接的技術(shù)。所用的燒結(jié)材料的基本成分是銀顆粒，根據(jù)狀態(tài)不同，燒結(jié)材料一般為燒結(jié)銀膏工藝為：AS9385燒結(jié)銀膏印刷印刷——預(yù)熱烘烤——芯片貼片——加壓燒結(jié)；