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本發(fā)明的直拉式單晶生長爐中，經 輸入管輸入的氣壓為0. 8 x 103pa0. 9 x l0a,流量為30L/min。 該流量不但不影響該爐中單晶的生長，平均每個直拉式單晶生長爐每 天可少消耗1440L，有效降低了生產成本，且利于在硅單晶生長過程 中單晶分子排列結構的整齊性，還利于提高電阻率的均布性。(2)本發(fā)明 的直拉式單晶生長爐中，碗形的氣流導向裝置設于坩堝支持器下方和爐底部的排氣口之間，且氣流導向裝置的中軸孔及一對電極孔分別與該爐的石 墨中軸及一對電極孔配合設置，有效地減小了爐內空間，便于迅速及時地 將爐內的一氧化硅與的混合氣體排出，且利于減少熱能和的消耗量，使原有的引晶功率從65KW減到61KW;另外，由于該爐的排氣口與氣流 導向裝置的各通氣孔相連通，藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，直拉式單晶生長爐的制作方法、專利名稱：直拉式單晶生長爐的制作方法、技術領域：本發(fā)明涉及一種直拉式單晶生長爐。背景技術：圖1為切克勞斯基(直拉)法制造硅單晶的單晶爐剖面示意圖；圖1-2 中，l為爐筒，2為保溫蓋，3為保溫蓋，4為保溫材津牛，5為保溫罩，6為 加熱器，7為水套，8為石英堝，9為導流筒，IO為爐底護盤、12為輸 入管、11為分布有出氣孔11-1的環(huán)形氣體分布器、13為排氣口。直拉硅單晶在生長過程中需要向爐內不斷充入，并與爐內生成的 一氧化硅及雜質粉塵混合，由于單晶爐內的加熱器和坩堝支持器等均由石 墨制成， 一氧化硅易腐蝕所述石墨制成的器件且雜質粉塵易吸附在這些器 件上，從而影響了單晶爐的使用壽命。

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而石墨加熱器作為加熱系統(tǒng)的核心部件,通過自身發(fā)熱作為整個熱場的熱量來源,因此也是整個熱場中為核心的部件。而加熱器的設計需要綜合考慮熱學、力學、電學、機械等各個領域內的知識,比較復雜,因此很多使用的加熱器都存在種種先天缺陷,造成使用時發(fā)熱不足、打火、變形過大、壽命過短等問題。下文將從加熱器的使用要求入手,分析加熱器的設計。2加熱器的工作原理與使用要求