SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴(yán)苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進(jìn)。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結(jié)層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設(shè)備制造商的推動下，人們對無壓燒結(jié)銀的偏好越來越高。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比，燒結(jié)銀AS9378具有更高的導(dǎo)熱性（200至300W/mK），有可能將從結(jié)到外殼的熱阻降低40%以上，同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據(jù)下表數(shù)據(jù)可觀察到銀燒結(jié)的高使用溫度接近900℃遠(yuǎn)超傳統(tǒng)焊料。

善仁新材的納米銀燒結(jié)工藝，通過銀原子的擴散達(dá)到連接目的。在燒結(jié)過程中，銀顆粒通過接觸形成燒結(jié)頸，銀原子通過擴散遷移到燒結(jié)頸區(qū)域，從而燒結(jié)頸不斷長大，相鄰銀顆粒之間的距離逐漸縮小，形成連續(xù)孔隙網(wǎng)絡(luò)

當(dāng)下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進(jìn)一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術(shù)已經(jīng)不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結(jié)銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

善仁燒結(jié)銀在提高電子設(shè)備性能、降低成本、增強可靠性和促進(jìn)規(guī)模化生產(chǎn)方面的重要作用。通過不斷創(chuàng)新和應(yīng)用，善仁燒結(jié)銀技術(shù)正在推動電子行業(yè)的發(fā)展，滿足日益增長的市場需求?