而燒結(jié)技術(shù)通過高溫使AS9330表面原子互相擴散，從而形成致密結(jié)構(gòu)的過程，也稱之為“低溫?zé)Y(jié)技術(shù)”。加入納米銀粒子的低溫?zé)Y(jié)技術(shù)大大提升了導(dǎo)熱及導(dǎo)電性能，可滿足對于第三代半導(dǎo)體高功率器件的電子互聯(lián)應(yīng)用。

半燒結(jié)銀AS9330和普通銀材料相比有更全面的導(dǎo)熱和可操作性能 ，AS9330使用制程簡便，與普通導(dǎo)電銀膠工藝相似。

半燒結(jié)銀AS9330粘結(jié)尺寸過大時，建議一個界面開導(dǎo)氣槽； 一個界面涂布燒結(jié)銀AS9330時，涂布的要均勻

通過以上步驟，可以降低芯片封裝納米燒結(jié)銀的燒結(jié)溫度、減少燒結(jié)裂紋、降低燒結(jié)空洞率、提高燒結(jié)體的致密性和熱導(dǎo)率。

善仁新材的燒結(jié)銀包括很多型號，比如 AS9300系列燒結(jié)銀膏：包括9330半燒結(jié)銀，9375無壓燒結(jié)銀，9385有壓燒結(jié)銀，9395有壓燒結(jié)銀膜。

AS9200系列燒結(jié)銀膠：包括9220燒結(jié)銀膠，9221燒結(jié)銀膠。 AS9100系列納米燒結(jié)銀漿：包括9101燒結(jié)銀漿，9120燒結(jié)銀漿，9150燒結(jié)銀漿。