SiC芯片的工作溫度更高，對封裝的要求也非常高，同時對散熱和可靠性的要求也更加嚴苛，這些都需要相配套的封裝工藝和材料同步跟進。

傳統(tǒng)的芯片粘接和基板粘接材料通常由焊料合金組成，其粘結層厚度范圍為50至100μm（用于芯片連接）和100至150μm（用于基板連接）。盡管性能還不錯，但在特斯拉、比亞迪和現(xiàn)代等主要汽車原始設備制造商的推動下，人們對無壓燒結銀的偏好越來越高。

與傳統(tǒng)的焊料合金相比，燒結銀AS9378具有更高的導熱性（200至300W/mK），有可能將從結到外殼的熱阻降低40%以上，同時顯著提高熔點并降低電阻率。此外根據下表數(shù)據可觀察到銀燒結的高使用溫度接近900℃遠超傳統(tǒng)焊料。

在功率器件中，流經焊接處的熱量非常高，因此需要更加注意芯片與框架連接處的熱性能及其處理高溫而不降低性能的能力。善仁新材的燒結銀的熱阻要比焊料低得多，因而使用燒結銀代替焊料能提高RθJC，而且由于銀的熔點較高，整個設計的熱裕度也提高了。

當下的芯片熱流密度的增大和模塊集成度的進一步提升，現(xiàn)有的小面積接合技術已經不能滿足其散熱需求。因此，若能使用善仁新材的燒結銀實現(xiàn)更大面積的封裝互連，則將地提升SiC功率模塊的散熱性能和高溫可靠性。

裸芯片封裝?：善仁燒結銀膏（AS9300系列）中的半燒結銀（9330）、銀玻璃膠粘劑（9355）、無壓燒結銀（9375）和有壓燒結銀（9385、9395）用于裸芯片封裝，確保電子元件的穩(wěn)定性和可靠性。