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東莞異質結低溫銀漿,導電銀漿

更新時間:2025-09-11 [舉報]

研發(fā)部分為研發(fā)一部,研發(fā)二部,研發(fā)三部。其中研發(fā)一部以納米銀為主要研發(fā)方向;研發(fā)二部以低溫導電銀漿,導電膠為主要研發(fā)方向;研發(fā)三部以厚膜漿料為主要研發(fā)方向。目前正在申請博士后科研工作站。公司與“常春藤”名??的螤柎髮W,北京大學,維茲曼研究所,俄亥俄州立大學,復旦大學,上海交大,東華大學,東京大學,橫濱國立大學,國家納米工程中心等多個科研單位和高等院校建立產學研合作關系。致力于提供環(huán)保、、高性價比的導電材料,導熱材料,導磁材料,絕緣材料解決方案。

公司開發(fā)出了納米顆粒技術平臺,金屬技術平臺、樹脂合成技術平臺、同位合成技術平臺,粘結技術平臺等九大平臺。在以上技術平臺上開發(fā)出了導電銀膠、導電銀漿、燒結銀、納米銀墨水、納米銀漿、納米銀膠、納米銀膏、可焊接低溫銀漿、可拉伸導電油墨、透明導電油墨、異方性導電膠、電磁屏蔽膠、導熱膠、特種電子膠水等產品。

公司憑借的研發(fā)團隊和“工匠精神”的生產團隊,的生產設備,可靠的質量管理體系,以及強大的營銷團隊,我們的產品和服務得到客戶的廣泛認可。

善仁新材開發(fā)的用于異質結電池的低溫銀漿AS9100具有以下特點:電阻率低:低溫燒結形成的電極電阻率低,體積電阻<4.2*10-6.CM;

鏈式吸雜:使用磷酸在一定溫度下在硅片表面形成磷硅玻璃,達到將硅片內的金屬雜質吸出的作用;

清洗制絨:利用堿對硅的各向異性刻蝕原理,在形成硅片表面形成金字塔形狀,達到陷光目的;同時使用改良RCA清洗工藝對硅片表面進行清洗,為下一步鍍膜做準備;

PEVCD鍍膜:利用非晶硅的短話效果在硅片表面沉積本征非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜,從而形成PN結。工藝過程主要采用RF電源將硅烷(SiH)、氫氣(H)等其他工藝氣體激發(fā)為等離子體態(tài),并相互反應,終以薄膜形式沉積在硅片表面;

標簽:東莞異質結低溫銀漿訂制異質結低溫銀漿
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