無壓燒結(jié)銀優(yōu)勢(shì)、銀燒結(jié)流程及燒結(jié)銀應(yīng)用
隨著高功率芯片，器件和模組的日益發(fā)展，散熱性需要大幅度的提高，無壓燒結(jié)銀是解決散熱性的。

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無壓燒結(jié)銀的優(yōu)勢(shì)
1.低溫?zé)o壓燒結(jié)（可以175度燒結(jié)）；
2.導(dǎo)熱導(dǎo)電性（電阻率低至4*10-6）；

低溫?zé)o壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層的四點(diǎn)要求
對(duì)于AMB基板、DBC基板以及底板來說,銅或鋁表面在空氣中會(huì)發(fā)生氧化,形成的氧化物薄膜會(huì)阻礙與低溫?zé)Y(jié)銀之間的原子擴(kuò)散和金屬鍵的形成,降低連接強(qiáng)度。為避免基板表面的氧化,提升與互連材料之間的連接強(qiáng)度,需要對(duì)基板進(jìn)行金屬鍍層處理。AS9376低溫?zé)o壓燒結(jié)銀對(duì)鍍層要求有以下四點(diǎn)

需要對(duì)互連材料具有良好的潤濕性,來形成無空洞連接層。金屬鍍層表面需要避免產(chǎn)生氧化物或氮化物,避免底層的元素?cái)U(kuò)散到表面造成污染。

4、金屬間化合物盡量少
需要盡量避免產(chǎn)生金屬間化合物。金屬間化合物一般為脆性,三元金屬間化合物比二元金屬間化合物更脆,易導(dǎo)致可靠性問題。如不能避免,需要盡量形成較薄的、不連續(xù)的金屬間化合物層。