電沉積程序
預處理后，在不同的電流密度（4 mA/cm 2、5 mA/cm 2、7
mA/cm 2、10 mA/cm 2和15 mA/cm 2 ）下進?電化學沉積
（ECD）?藝) 在的時間段內(nèi)。低電流密度條件（4 mA/cm 2）
和中等電流密度條件（7 mA/cm 2 ）的電沉積間隔分別為30
min和10 min。
TSV制作流程會涉及到深刻蝕、PVD、CVD、銅填充、微凸點及RDL電 鍍、清
洗、減薄、鍵合等??余種設(shè)備，其中通孔制作、絕緣層/阻擋層/ 種?層的沉
積、銅填充、晶圓減薄、晶圓鍵合等?序涉及的設(shè)備為關(guān) 鍵，在某種程度上
直接決定了TSV的性能指標。
嵌?式玻璃扇出與集成天線封裝
玻璃通孔還可以在玻璃上制作空腔，進?為芯片的封裝提供?種嵌? 式玻璃扇
出(eGFO)的新?案。2017年喬治亞理?率先實現(xiàn)了用于?I/O 密度和?頻多芯
片集成的玻璃面板扇出封裝。該技術(shù)在70um厚、?小為 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26個芯片的扇出封裝，并有效的控 制芯片的偏移和翹曲。2020年
云天半導體采用嵌?式玻璃扇出技術(shù)開了 77GHz汽?雷達芯片的封裝，并在此
基礎(chǔ)上提出了?種?性能的天線封裝 (AiP)?案。