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　　科微、聯(lián)蕓科技等面向3DNAND、DRAM以及存儲(chǔ)控制芯片的企業(yè)2020年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)宣布其128層QLC3DNAND閃存研發(fā)成功而合肥長(zhǎng)鑫則主攻DRAM方向，2018年建的12英寸DRAM芯片晶圓生產(chǎn)線，2019年量產(chǎn)了19nm工藝的DDR4、LPDDR4內(nèi)存短短五年時(shí)間，就同時(shí)突破了3DNAND和DRAM兩大主流存儲(chǔ)芯片核心技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了從0到1的突破到2024年，存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)有望突破522.6億美元，占14%技術(shù)快速推廣等因素的驅(qū)動(dòng)下，國(guó)內(nèi)MEMS產(chǎn)。

 

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