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低溫?zé)Y(jié)銀廣東燒結(jié)銀

更新時間:2025-09-14 [舉報]
射頻器件無壓燒結(jié)銀AS9376

2018年標(biāo)志性的轉(zhuǎn)變---使用碳化硅MOSFET替換傳統(tǒng)硅基IGBT于主驅(qū)逆變器中,為碳化硅技術(shù)在電動汽車中的廣泛應(yīng)用奠定了基礎(chǔ)。此后,多家國內(nèi)新能源汽車品牌紛紛投身碳化硅器件的研發(fā)應(yīng)用。新技術(shù)的不斷涌現(xiàn),如800V高壓快充,以及新能源汽車市場的持續(xù)擴(kuò)張,促進(jìn)了碳化硅的飛速發(fā)展。

AS9378燒結(jié)銀解決了以下三大問題:
1:大面積燒結(jié)會大幅增加客戶對燒結(jié)銀膏的用量,而燒結(jié)銀成本相對較高,作為中國燒結(jié)銀的者,善仁新材的解決了這一困擾客戶的難題。

AS9378燒結(jié)銀的低溫低壓燒結(jié)效果好:為了適應(yīng)大面積燒結(jié),燒結(jié)銀膏需要較低的溫度和壓力下達(dá)到良好的燒結(jié)效果,同時需要確保燒結(jié)質(zhì)量的一致性和模塊的可靠性。善仁新材利用自主研發(fā)的納米銀粉解決了這一問題。

標(biāo)簽:廣東納米銀導(dǎo)電膠納米燒結(jié)銀
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