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根據(jù)權(quán)利要求4所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)的上端部(2-4)的外壁與該爐的保溫筒(17)密封連接。6、 根據(jù)權(quán)利要求5所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)各通氣孔(2-3)與該爐的排氣口 (13)通過(guò)通氣管(19) 相連通。7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的直拉式單晶生長(zhǎng)爐，其特征在于所述氣流 導(dǎo)向裝置(20)由石墨制成。藍(lán)寶石長(zhǎng)晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長(zhǎng)晶爐回收，多晶長(zhǎng)晶爐回收，臥式長(zhǎng)晶爐回收，拉式單晶爐、收購(gòu)直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，采用輻射管加熱，輻射管是由耐火陶瓷盤(pán)固定的電阻絲裝于一個(gè)密封耐熱鋼管中，這樣的結(jié)構(gòu)使?fàn)t內(nèi)氣氛對(duì)加熱元件不會(huì)有影響） 連續(xù)式電阻爐A． 推送式爐 B． 傳送帶式爐 C． 網(wǎng)帶爐（適用于薄小零件的退火、燒結(jié)、釬焊及固溶處理。結(jié)構(gòu)類似傳送帶式爐）D． 連續(xù)式轉(zhuǎn)筒爐 E． 輥底爐（料盤(pán)在輥?zhàn)由线\(yùn)動(dòng)）F． 轉(zhuǎn)底爐,

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單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與分析1　引　言半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)材料 ,其中用量和用途廣泛的是半導(dǎo)體硅。當(dāng)今 95%以上的半導(dǎo)體器件是用硅材料制造的 ,99%以上的集成電路是硅集成電路 ,生產(chǎn)集成電路所需要的單晶硅 ,是在硅結(jié)晶生長(zhǎng)開(kāi)始時(shí) ,用提拉的辦法制成的。在單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中 ,對(duì)晶體的提拉速度有十分嚴(yán)格的要求 ,從某種程度上講提拉速度的控制好壞將直接影響到晶體的質(zhì)量。對(duì)單晶硅生產(chǎn)過(guò)程中的提拉速度控制系統(tǒng)進(jìn)行研究有實(shí)際意義。圖 1示出了單晶爐提拉速度控制系統(tǒng)在單晶硅生產(chǎn)中的作用。提拉桿的運(yùn)動(dòng)是靠驅(qū)動(dòng)電機(jī)通過(guò)減速器 ,再由齒輪齒條機(jī)構(gòu)帶動(dòng)的。在單晶爐中 ,要求提拉單晶硅的提拉桿不僅能以某一期望線速度 V向上 (下 )運(yùn)動(dòng) ,而且當(dāng)提拉負(fù)載增大引起線速度為零時(shí) ,提拉桿能保持其后位置而不上下滑動(dòng)。在實(shí)際單晶爐中 ,對(duì)提拉控制系統(tǒng)提出的主要技術(shù)指標(biāo)是 ,提拉速度在 0 .2～ 1 0 .0 mm/h范圍之內(nèi)實(shí)現(xiàn)無(wú)級(jí)可調(diào) ,線性精度大于± 2 %