在三維集成中 TSV 技術(shù)可分為三種類型:在 CMOS ?藝過程之前在硅片 上完成
通孔制作和導(dǎo)電材料填充的是先通孔技術(shù);?中通孔，在CMOS制 程之后和后端
制程(BEOL)之前制作通孔。后?種后通孔技術(shù)是在 CMOS ?藝完成后但未
進?減薄處理時制作通孔。終技術(shù)?案的選擇要 根據(jù)不同的?產(chǎn)需求。
TSV制程關(guān)鍵?藝設(shè)備
TSV制作?藝包括以下?步:通孔制作;絕緣層、阻擋層和種?層的 沉積;銅填充;
通過化學機械拋光去除多余的?屬;晶圓減薄;晶圓鍵合 等。 每?步?藝都有相
當?shù)募夹g(shù)難度，在通孔制作步驟，保持孔的形狀和控制 ?度非常重要，通過
Bosch?藝來實現(xiàn)深孔刻蝕;在沉積絕緣層、阻擋層 和種?層時，需要考慮各層
的均勻性和粘附性;銅填充時避免空洞等 缺陷，這樣填充的銅可以在疊層
器件較?的溫度下保持正常的電性能;? 旦完成了銅填充，則需要對晶圓進?
減薄;后是進?晶圓鍵合。
嵌?式玻璃扇出與集成天線封裝
玻璃通孔還可以在玻璃上制作空腔，進?為芯片的封裝提供?種嵌? 式玻璃扇
出(eGFO)的新?案。2017年喬治亞理?率先實現(xiàn)了用于?I/O 密度和?頻多芯
片集成的玻璃面板扇出封裝。該技術(shù)在70um厚、?小為 300mm*300mm的玻璃
面板上完成了26個芯片的扇出封裝，并有效的控 制芯片的偏移和翹曲。2020年
云天半導(dǎo)體采用嵌?式玻璃扇出技術(shù)開了 77GHz汽?雷達芯片的封裝，并在此
基礎(chǔ)上提出了?種?性能的天線封裝 (AiP)?案。