大面積無(wú)壓燒結(jié)銀的主要成分：納米銀粉、有機(jī)載體等，可以栽無(wú)壓的條件下焊接10mm*10mm的大芯片，也可以焊接更大面積的芯片。

大面積燒結(jié)銀的導(dǎo)熱系數(shù)為： 200W/m·K， （激光閃射法）；剪切強(qiáng)度為60 (MPa) 5*5mm （金-金，25℃）。

大面積燒結(jié)銀的烘烤曲線
1）從室溫升溫至 80℃，升溫速率 3℃/min。在 80℃保溫 40 分鐘；
2）從 80℃升溫至 130℃，升溫速率 3℃/min。在 130℃保溫 40 分鐘；
3）從 130℃升溫至 200℃，升溫速率 5℃/min。在 200℃保溫 120 分鐘；
4）降溫時(shí)間 60

大面積燒結(jié)銀的使用要求
1. 使用前回溫至室溫；
2. 使用前在行星攪拌機(jī)中進(jìn)行 2500rpm/30s 攪拌處理；
3. 框架表面鍍金、銀，芯片背面鍍金、銀

大面積燒結(jié)銀的注意事項(xiàng)
1. 本銀膏密封儲(chǔ)存在冷柜內(nèi)，-30℃以下保存有效期 6 個(gè)月；
2. 根據(jù)實(shí)際需求選擇粘接層厚度，太薄或太厚可能影響產(chǎn)品性能；

由于大面積燒結(jié)銀的的使用條件不在我們的控制范圍之內(nèi)，而且應(yīng)用十分廣泛，因此以下聲明將代替所有的明確或暗示的擔(dān)保（包括對(duì)產(chǎn)品性能或適用某一特殊用途的擔(dān)保）：