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集成電路硫酸銨加工轉(zhuǎn)移手續(xù)辦理 晶體生長的大小主要受兩方面的影響,即溶液的過飽和度和晶核的數(shù)量。過飽和度越大,介穩(wěn)區(qū)內(nèi)溶質(zhì)的含量越高,析出晶體的驅(qū)動力越大,晶體的生長速率越快,晶體的體積也相應(yīng)越大。在其他條件不變的情況下,晶核的數(shù)量越少,溶質(zhì)分子的附著點越少,溶質(zhì)分子析出的驅(qū)動力越大,單一晶核附著溶質(zhì)分子的數(shù)量越多,晶體的體積越大,成長速率也越快[4-6]。
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