對比幾個真空鍍膜機的檢漏方法：
氦質(zhì)譜檢漏該工藝是真空鍍膜機真空檢漏技術(shù)里不可缺少的一種技術(shù)，因為檢漏率，簡單易使用，儀器設(shè)備反映靈敏，，不容易受別的氣體的影響，在檢漏中獲得了廣泛運用。氦質(zhì)譜檢漏儀是依據(jù)質(zhì)譜學(xué)基本原理，用氮氣作示漏氣體做成的氣密性檢測儀器。由離子源、解析器、回收器、冷陰極水解規(guī)構(gòu)成的質(zhì)譜分析室和吸氣系統(tǒng)及電氣一部分等構(gòu)成。質(zhì)譜分析室里的鎢絲發(fā)送出去的電子，在房間內(nèi)不停地震蕩，并與房間內(nèi)空氣和經(jīng)漏孔進入到屋內(nèi)的氦氣互相撞擊使其水解成共價鍵，這種氦離子在加快靜電場的作用下進入到磁場，因為洛倫茲力作用產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)，產(chǎn)生圓弧狀軌道，更改加速電壓可使不一樣品質(zhì)的離子通過磁場和接受縫抵達接收極而被檢驗。噴氦法、吸氦法是氦質(zhì)譜檢漏儀在檢漏中經(jīng)常使用的這兩種方式。采用真空法檢漏，鍍膜機不需要停機，直接在真空泵的旁路利用波紋管接入檢漏儀，在懷疑有漏的地方噴氦氣，即可完成檢漏。

真空系統(tǒng)是鍍膜機達到工藝條件的基本設(shè)備，其真空度達不到或者達到真空度速度慢，都有可能是由于存在漏點所致，所以真空卷繞鍍膜機設(shè)備的真空系統(tǒng)需要定期真空檢漏。真空卷繞鍍膜機通常采用氦質(zhì)檢漏儀來查漏，主要用負壓法檢漏即將氦質(zhì)譜檢漏儀的檢漏口接入鍍膜機的真空系統(tǒng)，在可能泄漏地方噴氦檢漏。

蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長）形成薄膜。 對于濺射類鍍膜，可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過程，終形成薄膜。

真空鍍膜機的工作原理如下：
在鍍膜領(lǐng)域，鍍膜后薄膜樣品的厚度是影響薄膜性能的一個重要因素。因此，當評價某薄膜樣品的性能時，需要檢測該薄膜樣品不同厚度下的性能。對于真空鍍膜的情形，這往往需要進行多次試樣的制備。而這樣多次制備樣品存在兩個問題：，不同次生長的樣品，儀器的狀態(tài)不同，以至于影響薄膜樣品性能的因素可能不僅僅是厚度；其次，真空鍍膜實驗裝取樣品需要重新進行真空的獲得，非常耗時。增加了生產(chǎn)和檢測的成本。
因此，提供一種多功能磁控濺射鍍膜系統(tǒng)，本系統(tǒng)由真空鍍膜系統(tǒng)和手套箱系統(tǒng)集成而成，可在高真空蒸鍍腔室中完成薄膜蒸鍍，并在手套箱高純惰性氣體氛圍下進行樣品的存放、制備以及蒸鍍后樣品的檢測。蒸發(fā)鍍膜與手套箱組合，實現(xiàn)蒸鍍、封裝、測試等工藝全封閉制作，使整個薄膜生長和器件制備過程高度集成在一個完整的可控環(huán)境氛圍的系統(tǒng)中，消除有機大面積電路制備過程中大氣環(huán)境中不穩(wěn)定因素影響，保障了、大面積有機光電器件和電路的制備。

真空鍍膜工藝在信息存儲范疇中的運用薄膜資料作為信息記載于存儲介質(zhì)，有其得天厚的優(yōu)勢：因為薄膜很薄能夠疏忽渦流損耗；磁化回轉(zhuǎn)極為敏捷；與膜面平行的雙穩(wěn)態(tài)狀況簡單保持等。為了更精細地記載與存儲信息，必定要選用鍍膜技能。

鍍膜機工藝在裝飾品方面的運用跟著經(jīng)濟的開展和生活水平的進步，大家喜愛將手表殼、表帶、服飾、燈飾、眼鏡架、室表里裝飾件、五金箱包、手機殼、手機視屏、衛(wèi)生潔具、食品包裝等裝飾品精飾得五光十色。