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高亮度單色發(fā)光二極管和亮度單色發(fā)光二極管使用的半導(dǎo)體材料與普通單色發(fā)光二極管不同，所以發(fā)光的強度也不同。通常，高亮度單色發(fā)光二極管使用砷鋁化鎵（GaAlAs）等材料，亮度單色發(fā)光二極管使用磷銦砷化鎵（GaAsInP）等材料，而普通單色發(fā)光二極管使用磷化鎵（GaP）或磷砷化鎵（GaAsP）等材料。
1987年，柯達公司鄧青云等成功制備了低電壓、高亮度的有機發(fā)光二極管（OLED），次向世界展示了OLED在商業(yè)上的應(yīng)用前景‘“。1995年，Kido在science雜志上發(fā)表了白光有機發(fā)光二極管（wOLED）的文章， 雖然效率不高，但揭開了OLED照明研究的序幕。經(jīng)過幾十年的發(fā)展，OLED的效率和穩(wěn)定性早已滿足小尺寸顯示器的要求，受到眾多儀器儀表、手機和移動終端公司的青睞，大尺寸技術(shù)也日漸完善。 [5]
晶片的構(gòu)成：由金墊，P極，N極，PN結(jié)，背金層構(gòu)成（雙pad晶片無背金層）。晶片是由P層半導(dǎo)體元素，N層半導(dǎo)體元素靠電子移動而重新排列組合成的PN結(jié)合體。也正是這種變化使晶片能夠處于一個相對穩(wěn)定的狀態(tài)。在晶片被一定的電壓施加正向電極時，正向P區(qū)的空穴則會源源不斷的游向N區(qū)，N區(qū)的電子則會相對于孔穴向P區(qū)運動。在電子，空穴相對移動的同時，電子空穴互相結(jié)對，激發(fā)出光子，產(chǎn)生光能。
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