代理富士場效應(yīng)管信息我要推廣到這里
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2SK3568 產(chǎn)品種類: MOSFET 制造商: Toshiba RoHS: 否 技術(shù): Si 封裝 / 箱體: TO-220FP-3 通道數(shù)量: 1 Channel 晶體管極性: N-Channel Vds-漏源極..12月11日 -
高壓MOS 國內(nèi)產(chǎn)品存在問題： 產(chǎn)品技術(shù)指標： 高溫（150℃）漏電大； 電磁輻射EMI難解決； 產(chǎn)品品質(zhì)： 老化考核后產(chǎn)品擊穿電壓跌落； 可靠性難以符合工業(yè)要求； 同質(zhì)化嚴重，技術(shù)陳舊10月10日
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NCE3010S NCE3010場效應(yīng)管MOS管 30V/10A 代理原裝 描述 NCE3010S使用先進的海溝技術(shù)和 較低的設(shè)計提供良好的RDS(上)門。它 可用于各種各樣的應(yīng)用程序。 一般特征 ●V = 30 V,I = 10 RDS..08月01日
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MOS場效應(yīng)管 SVF5N60D TO-252 N溝道 深圳市油柑科技有限公司是集生產(chǎn)經(jīng)營為一體，產(chǎn)品以系列半導體整流器件為主，配套常用大小功率二三極管、電阻、可控硅、場效應(yīng)管、IC、電容，貼片元件10月13日
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華晶場效應(yīng)管CS2N60A4HY產(chǎn)品參數(shù) 品牌：華晶 型號：CS2N60A4HY 導電類型：耗盡型 材料：N溝道絕緣格柵 封裝：TO252 導電類型：N溝道 規(guī)格 ：2A/600V 地..12月09日
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供應(yīng)場效應(yīng)管IIXFH34N65X2 德國IXYS艾賽斯代理 IXYS二極管，IXYS快恢復二極管，IXYS場效應(yīng)管 IXYS可控硅 IXYS肖特基二極管 IXYS整流二極管 ，IXYS MOS管 艾賽斯可控硅 IXYS IGBT 艾賽斯..11月07日
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1000.00元回收場效應(yīng)管,MOS管，電源IC 20％ 服務(wù)大眾、信守承諾、估價、方便快捷、嚴格保密為原則 回收庫存電子電工產(chǎn)品電子料 回收電子料編碼器模塊 回收LED光電設(shè)備電子料 ..10月03日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)20N06美浦森SLD20N06T原裝 60V20A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD20N06T ： 60V 20A TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD20N06TVDS： 60VIDS ..10月03日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)60N02美浦森SLD60N02T原裝60A 20V TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD60N02T ： 60A 20V TO-252 N溝道 MOS場效應(yīng)管品牌：美浦森型號：SLD60N02TVDS： 20VIDS ..10月03日
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深圳市三佛科技有限公司供應(yīng)80N06美浦森SLD80N06T原裝60V 80A TO-252 MOS場效應(yīng)管，原裝，庫存現(xiàn)貨SLD80N06T 參數(shù)：60V 80A TO-252 N溝道MOS管品牌：美浦森型號： SLD80N06T電壓：60V 電流：8..10月03日
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場效應(yīng)管在不同技術(shù)文獻和應(yīng)用場景中可能有以下多種名稱或分類：1. ?按全稱與縮寫命名??MOSFET?（金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管）：其英文全稱縮寫，強調(diào)金屬-氧化物-半導體的結(jié)構(gòu)特性??MOS管..10月04日
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晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。晶體管檢測項目外觀質(zhì)量、性能測試、功..10月03日
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場效應(yīng)管NTGD4167CT1G 品牌安森美。供應(yīng)場效應(yīng)管CMOS， NTGD4167CT1G ，品牌：安森美封裝：SOT23-6原裝現(xiàn)貨供應(yīng)可提供樣品測試和技術(shù)支持。如需更多了解更多型號及詳細信息DEMO或者規(guī)格書歡迎..10月03日
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PMOS 場效應(yīng)管 NTA4151PT1G 品牌Onsemi安森美原裝。產(chǎn)品分類MOSFETs晶體管FET類型P溝道漏源電壓(Vdss)20V導通電阻Rds On(Max)260mΩ柵極電荷(Qg)(Max)2.1nC功率(Max)301mW工作溫度(Tj)-55°C~15..10月03日
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31.00元場效應(yīng)管(FET)，把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的跨導， 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。市面上常有的一般為N溝道和P溝道。 ——————————09月26日
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2.00元**低導通電阻**：MT3287/B采用的工藝設(shè)計，實現(xiàn)了極低的導通電阻，有效降低了電路中的能量損耗，提高了整體效率。 2. **高開關(guān)速度**：得益于其快速的開關(guān)響應(yīng)能力，MT3287/B在高頻應(yīng)用中..09月11日
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2.00元MT3205-N MOS管以其低內(nèi)阻、高開關(guān)速度、低導通電阻和優(yōu)良的穩(wěn)定性而著稱。它采用的半導體制造工藝，能夠在高頻率下保持低損耗，是電源管理、電機驅(qū)動、開關(guān)電源及高速信號切換等應(yīng)用的理想選..09月11日
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1.00元供應(yīng)P&N溝道場效應(yīng)管，本產(chǎn)品全新原裝，質(zhì)量保證，價格優(yōu)惠，歡迎訂購。09月06日
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2.00元MT6808D是一款基于半導體工藝制造的N溝道場效應(yīng)晶體管（N-channel MOSFET），其設(shè)計旨在提供低導通電阻、高開關(guān)速度以及良好的熱穩(wěn)定性。這種場效應(yīng)管適用于各種需要電流控制和電壓調(diào)節(jié)的電路..07月29日
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2.00元MT11G035B是一款專為高頻、低功耗應(yīng)用設(shè)計的N溝道場效應(yīng)晶體管。其核心參數(shù)包括但不限于大漏極電流（ID）、漏源擊穿電壓（VDS）、柵源閾值電壓（VGS(th)）以及導通電阻（RDS(on)）等。這些參..07月29日
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