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1.00元氧化鎵(III)，即三氧化二鎵，是鎵的氧化物中zui穩(wěn)定的。在空氣中加熱金屬鎵使之氧化或在200-250℃時 焙燒硝酸鎵、氫氧化鎵以及某些鎵的化合物都可形成Ga2O3. Ga2O3 有五種同分異構(gòu)體：α，β，01月20日 -
中國電子級氧化鎵行業(yè)現(xiàn)狀規(guī)模及市場占有率分析報告2025～2031年【報告目錄】1 統(tǒng)計范圍及所屬行業(yè)1.1 產(chǎn)品定義1.2 所屬行業(yè)1.3 產(chǎn)品分類，按產(chǎn)品類型1.3.1 按產(chǎn)品類型細分，全球電子級氧化鎵..10月03日
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中國高純Β-氧化鎵粉末行業(yè)應(yīng)用市場現(xiàn)狀與前景研究報告2025～2031年★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★★【全新修訂】：2025年9月【出版機構(gòu)】：中智信投研究網(wǎng)【內(nèi)容部分有刪減·詳細可參中智信投研究網(wǎng)出..10月03日
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氧化鎵檢測周期：(參考周期7-10個工作日，可加急)氧化鎵檢測標準（部分）1、 YS/T 741-2010 氧化鎵2、 STAS SR 4813-16-1994 鋁礦石．氧化鎵測定3、 GOST 14657.11-1996 鋁土礦.氧化鎵含量測..10月03日
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7000.00元中國高純氧化鎵粉末行業(yè)市場競爭格局及投資前景展望研究報告2023-2029年mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm【報告編號】 32658【出版機構(gòu)】:中研嘉業(yè)研究網(wǎng)【交付方式】:EMIL電子版或..10月03日
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中國高純氧化鎵粉市場深度調(diào)研及投資前景預(yù)測報告2023-2029年mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm+mm【報告編號】 32198【出版機構(gòu)】:中研嘉業(yè)研究網(wǎng)【交付方式】:EMIL電子版或特快專遞【..10月03日
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?2025-2030年中國氧化鎵單晶襯底市場調(diào)研分析及投資前景研究預(yù)測報告 氧化鎵單晶襯底，又稱Ga?O?單晶襯底，指以新型寬禁帶半導體材料氧化鎵（Ga?O?）制成的襯底。氧化鎵單晶襯底具備擊穿..09月12日
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3000.00元氧化鎵是一種重要的半導體材料，具有廣泛的應(yīng)用前景。以下是氧化鎵的主要應(yīng)用領(lǐng)域： 1.顯示器：氧化鎵薄膜可以作為透明電極和中間層，用于制造液晶顯示器和有機發(fā)光二極管(OLED)。 2.LE..08月30日
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12.00元氧化鎵 分子式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS NO. :12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無..08月30日
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?2025-2029年中國氧化鎵產(chǎn)業(yè)前景預(yù)測及發(fā)展策略研究報告 我國對氧化鎵的研究起步較早，但早期以高校和科研院所的散點式研究為主。 中國的氧化鎵自2017年開始逐步成為熱點，2018年，我國正式..08月26日
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氧化鎵 分子式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS NO. :12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無..08月18日
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2400.00元元素名稱：鎵（Ga) 原 子 量：69.723 英文名稱:Gallium oxide 元素類型: 金屬元素 產(chǎn)品純度：5N,7N 物理性狀：粉狀,固態(tài),液態(tài) 產(chǎn)品用途：主要用于制備III-V族化合物半導體、高純合金、..03月19日
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1200.00元氧化鎵半導體材料 三氧化二鎵，稀土氧化鎵，氧化鎵小包裝 分子式：稀土Ga2O3 氧化鎵分子量：187.44 氧化鎵Cas. 12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶..03月18日
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9999.00元15001021474北京鎳板回收中心 回收稀有金屬 稀有金屬回收中心 鎳板 鎳粉回收 北京稀有金屬回收中心 長期大量回收鎳板 鎳粉 錫條 錫渣 錫絲 錫膏回收 北京物資回收中心面向北京 天津 河北 ..03月17日
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120.00元氧化鎵 分子式：Ga2O3 分子量：187.44 CAS NO. :12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿溶液。熔點1900℃(在600℃時轉(zhuǎn)化為β型)。易溶于堿金屬氫氧化物和稀無..01月07日
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900.00元12024-21-4 稀土氧化鎵 產(chǎn)品介紹審閱 英文名稱:Gallium(III)oxide 分析純氧化鎵，三氧化二鎵粉末，半導體氧化鎵功率性能好、損耗低 因此氧化鎵具有耐高壓、耐高溫、大功率、抗輻照等..12月23日
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1200.00元氧化鎵半導體材料，三氧化二鎵超寬禁帶材料 氧化鎵半導體材料 分子式：Ga2O3 氧化鎵分子量：187.44 氧化鎵Cas. 12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱酸或堿..11月25日
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氧化鎵合成材料 氧化鎵第四代半導體 1g鎵多少錢 金屬鎵是什么 氧化鎵晶體結(jié)構(gòu) 中國研制氧化鎵外延片 氧化鎵的制備方法 氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域 分子式：Ga2O3 氧化鎵分子量：187.44 氧化..11月16日
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1200.00元Ga2O3高純氧化鎵生產(chǎn)工藝12064-62-9氧化鎵Α-GA2O3; 氧化鎵半導體材料 分子式：Ga2O3 氧化鎵分子量：187.44 氧化鎵Cas. 12024-21-4 外觀性狀：白色三角形的結(jié)晶顆粒。不溶于水。微溶于熱..11月16日
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