- 信息報(bào)價(jià)
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本公司新研制生產(chǎn)的非晶態(tài)無(wú)銀帶狀釬料具有熔點(diǎn)低.強(qiáng)度高特性?？估瓘?qiáng)度高，導(dǎo)電率好，可替代高銀釬料釬焊紫銅.黃銅.銀銅等合金材料。適用于火焰，感應(yīng)，電阻釬焊。在機(jī)電等行業(yè)可04月22日 -
15%銀焊條 說(shuō)明：L204是含15%銀的銅磷釬料。其接頭強(qiáng)度、塑性、導(dǎo)電性及填充不均勻間隙能力等綜合性能是銅磷釬料中好的一種，對(duì)接頭準(zhǔn)備及裝配間隙相對(duì)來(lái)說(shuō)要求較低。 用途：適用于釬焊..04月12日
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阻燃EVA防水板熱熔焊片規(guī)格型號(hào)： 1.阻燃65mm熱熔墊片。 2.防水70mm熱熔焊片。 3.自粘EVA防水板熱熔焊片。 序號(hào) 檢測(cè)項(xiàng)目 單位 質(zhì)檢標(biāo)準(zhǔn) 1. 毛糙高度 mm 0.25 2. 拉伸斷裂強(qiáng)度（縱向） ..04月28日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。在成型..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月27日
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1200.00元可實(shí)現(xiàn)高可靠、高導(dǎo)電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車(chē)模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是..04月27日
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1200.00元眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K)，遠(yuǎn)高于IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過(guò)金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(39..04月27日
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1200.00元終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國(guó)能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開(kāi)關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的..04月27日
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目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對(duì)可靠性和散熱高要求的市場(chǎng)，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。眾所周..04月27日
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1200.00元新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，目前，客戶(hù)存的大痛點(diǎn)是鍵合時(shí)良率低，善仁新材推出..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月27日
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1200.00元眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K)，遠(yuǎn)高于IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過(guò)金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(39..04月27日
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1200.00元新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick C..04月27日
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1200.00元功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等。可分為功率IC和功率分立器件兩大類(lèi)，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。眾所周..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。終端應(yīng)..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。目前燒..04月27日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。眾所周..04月27日
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1200.00元新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動(dòng)車(chē)逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，..04月27日
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