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本公司新研制生產(chǎn)的非晶態(tài)無銀帶狀釬料具有熔點(diǎn)低.強(qiáng)度高特性。抗拉強(qiáng)度高，導(dǎo)電率好，可替代高銀釬料釬焊紫銅.黃銅.銀銅等合金材料。適用于火焰，感應(yīng)，電阻釬焊。在機(jī)電等行業(yè)可04月28日 -
15%銀焊條 說明：L204是含15%銀的銅磷釬料。其接頭強(qiáng)度、塑性、導(dǎo)電性及填充不均勻間隙能力等綜合性能是銅磷釬料中好的一種，對接頭準(zhǔn)備及裝配間隙相對來說要求較低。 用途：適用于釬焊..04月12日
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深圳市日田特殊電容器有限公司 400V 1200UF鋁電解電容 400V1200UF電容 400V 1500UF鋁電解電容 400V1500UF電容 400V 1800UF鋁電解電容 400V1800UF電容 400V 2200UF鋁電解電容 400V2200UF電..01月21日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月28日
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1200.00元可實(shí)現(xiàn)高可靠、高導(dǎo)電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，目前，客戶存的大痛點(diǎn)是鍵合時(shí)良率低，善仁新材推出的DTS..04月28日
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1200.00元終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的..04月28日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。終端應(yīng)..04月28日
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1200.00元眾所周知，在單管封裝中，影響器件Rth(j-c)熱阻的主要是芯片、焊料和基板。SiC芯片材料的導(dǎo)熱率為370W/(m.K)，遠(yuǎn)高于IGBT的Si(124W/(m.K))，甚至超過金屬鋁(220W/(m.K))，與Lead Frame的銅(39..04月28日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月28日
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1200.00元終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的..04月28日
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1200.00元在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個(gè)導(dǎo)線架搭兩個(gè)芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架..04月28日
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1200.00元可實(shí)現(xiàn)高可靠、高導(dǎo)電的連接的需求，很多Tier 1的控制器公司和Tier 2功率模組制造商，在汽車模組中均或多或少的采用該燒結(jié)銀DTS技術(shù)，在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全..04月28日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月28日
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1200.00元終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的..04月28日
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1200.00元在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個(gè)導(dǎo)線架搭兩個(gè)芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對引線框架..04月28日
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1200.00元終端應(yīng)用市場對于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的..04月28日
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1200.00元DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力 在新能源汽車、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。新型SiC..04月28日
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1200.00元目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可..04月28日
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1200.00元新型SiC芯片可用IPM、TPAK方式封裝，以應(yīng)用于電動(dòng)車逆變器SiC導(dǎo)線架技術(shù)為例，導(dǎo)線架Copper Clip和SiC芯片連接采用燒結(jié)銀AS9385連接技術(shù)，目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場..04月28日
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1200.00元目前燒結(jié)銀技術(shù)主要用于對可靠性和散熱高要求的市場，在引線框架制作上除了要提供高可靠度的鍍銀品質(zhì)以符合燒結(jié)銀的搭接技術(shù)以外，由于燒結(jié)銀的膜厚只有20um-50um，不像傳統(tǒng)的錫膏搭接方式可..04月28日
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