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專利文獻CN1205362C公開了 一種直拉硅單晶爐熱場的氣流控制方 法及裝置，其包括在單晶爐晶體生長室內的石墨加熱器和保溫筒間裝有密 封導氣裝置，使含有一氧化硅的氣體的氣流經(jīng)密封導氣裝置的導氣管 及排氣口，在真空泵的作用下，排出爐外。密封導氣管裝置由導氣管、底 座、密封環(huán)、排氣口所組成，安裝在石墨加熱器和保溫筒之間。上述現(xiàn)有技術的不足之處在于單晶爐的坩堝支持器下方的混合氣體 不能有效的排出，從而使混合氣體中的一氧化硅對加熱器和坩堝進行腐蝕， 影響單晶爐的使用壽命。且其向爐內充入時的充氣氣壓在1. 3xi0a 以上，導致其流量較大，故而消耗量大，生產(chǎn)成本較高。藍寶石長晶爐回收，多晶硅鑄錠爐回收，提拉式長晶爐回收，多晶長晶爐回收，臥式長晶爐回收，拉式單晶爐、收購直拉式單晶爐-85型/90型/95型/100型種種整套單晶回收提爐裝備、分子泵回收，真空泵回收，真空流量計回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，具體實施方式、本實施例的直拉式單晶生長爐包括輸入管12、與氬 氣輸入管12相連通的環(huán)形氣體分布器11;其特征在于經(jīng)輸入管12 輸入的氣壓為0. 8 x 10a0. 9 x 10a,流量為30L/min。還包括設于該爐的坩堝支持器14下方和該爐底部的排氣口 13之間 的碗形的氣流導向裝置20;其包括設于氣流導向裝置20底部的中軸 孔2-l、設于所述中軸孔2-1兩側的一對電極孔2-2、以及設于所述中軸孔 2-1兩側并與該爐的排氣口 13相對的通氣孔2-3;該爐的石墨中軸21穿過所述氣流導向裝置20的中軸孔2-1，該爐的一對電極柱15分別穿過所述電 極孔2-2，該爐的排氣口 13與氣流導向裝置20的各通氣孔2-3相連通，氣 流導向裝置20的上端部2-4設于該爐的保溫筒17與發(fā)熱體16之間。

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結構類似傳送帶式爐） 　D． 連續(xù)式轉筒爐 　　E． 輥底爐（料盤在輥子上運動） 　　F． 轉底爐,中頻電爐設備主要應用領域: 1、機床導軌的淬火處理； 2、煤礦用截齒的焊接； 3、礦山用一字釬頭和梅花釬頭的焊接； 4、直徑30以下螺栓的熱變形； 5、直徑30以下的螺母的熱變形； 6、金屬粉末重熔； 7、直徑300以下鏈輪的熱處理； 8、直徑80以下軸的淬火處理； 9、直徑80以下工件的橫截面處理； 10、各種手工工具的淬火處理（錘子，斧頭，管鉗，斷線鉗）