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單晶爐晶體提拉系統(tǒng)平衡研究\提拉法單晶爐是晶體生長(zhǎng)設(shè)備中重要的產(chǎn)品系列之一,用此方法單晶生長(zhǎng)速度,晶體尺寸,晶體質(zhì)量,易實(shí)現(xiàn)自動(dòng)控制,因此獲得了廣泛的應(yīng)用。而此方法生產(chǎn)單晶的主要因素取決于單晶提拉過(guò)程的平穩(wěn)性,因此提拉系統(tǒng)良好的平穩(wěn)性是提高單晶爐設(shè)備性能和生產(chǎn)效率的關(guān)鍵。以良好的平穩(wěn)性為目標(biāo),本文對(duì)單晶爐提拉系統(tǒng)進(jìn)行了系統(tǒng)平衡方面的研究。本文介紹了單晶爐提拉系統(tǒng)的功能、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)以及工作原理；討論了單晶爐提拉系統(tǒng)靜平衡與動(dòng)平衡的原理和方法,分析、研究了提拉系統(tǒng)完全平衡的條件,以及提拉系統(tǒng)不平衡校正的方法。

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排氣筒與排氣口相通。上盤的幾個(gè)圓孔是除塵區(qū)域和排氣區(qū)域通道。含塵氣流未從上盤12 個(gè)圓孔排出去之前，實(shí)際的氣流運(yùn)動(dòng)是很復(fù)雜的。除切向和軸向運(yùn)動(dòng)外還有徑向運(yùn)動(dòng)。這樣含塵氣流會(huì)反復(fù)經(jīng)過(guò)金屬網(wǎng)(支撐內(nèi)、外層金屬網(wǎng)的金屬桿相互錯(cuò)列，很明顯能夠增加氣流穿過(guò)金屬網(wǎng)的次數(shù))。前文已詳細(xì)論過(guò)除塵機(jī)理,很容易看出慣性碰撞、接觸阻留、篩濾作用、擴(kuò)散在這時(shí)將成為除塵的主要作用力。塵粒與氣流分離界面是內(nèi)、外兩層金屬網(wǎng)(包括上盤在內(nèi))。分子泵回收，真空泵回收，真空流量計(jì)回收，plc編程回收，控制屏回收，離子泵回收，渦輪分子泵回收，螺桿真空泵回收，渦旋高真空泵回收，原理編輯，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過(guò)石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將其熔化；然后，對(duì)熔化的硅液稍做降溫，使之產(chǎn)生一定的過(guò)冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶體便會(huì)在籽晶下端生長(zhǎng)；接著，控制籽晶生長(zhǎng)出一段長(zhǎng)為100mm左右、直徑為3～5mm的細(xì)頸，用于消除高溫溶液對(duì)籽晶的強(qiáng)烈熱沖擊而產(chǎn)生的原子排列的位錯(cuò)，這個(gè)過(guò)程是引晶；隨后，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個(gè)過(guò)程稱為放肩；接著，突然提高拉速進(jìn)行轉(zhuǎn)肩操作，使肩部近似直角；然后，進(jìn)入等徑工藝，通過(guò)控制熱場(chǎng)溫度和晶體提升速度，生長(zhǎng)出一定直徑規(guī)格大小的單晶柱體；后，待大部分硅溶液都已經(jīng)完成結(jié)晶時(shí)，再將晶體逐漸縮小而形成一個(gè)尾形錐體，稱為收尾工藝。這樣一個(gè)單晶拉制過(guò)程基本完成，進(jìn)行一定的保溫冷卻后可以取出。