DTS+TCB預(yù)燒結(jié)銀焊盤(pán)工藝提高功率器件通流能力和功率循環(huán)能力
在新能源汽車(chē)、5G通訊、光伏儲(chǔ)能等終端應(yīng)用的發(fā)展下，SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高，成為時(shí)下火爆的發(fā)展領(lǐng)域之一。

終端應(yīng)用市場(chǎng)對(duì)于率、高功率密度、節(jié)能的系統(tǒng)設(shè)計(jì)需求日益增強(qiáng)，與此同時(shí)，各國(guó)能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進(jìn)，在此背景下，SiC憑借耐高溫、開(kāi)關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性，正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。

在成型技術(shù)也相當(dāng)困難，由于電鍍銀是局部鍍銀，相較于全鍍，部分鍍銀技術(shù)很難，做模具，且放置芯片處用局部銀，一個(gè)導(dǎo)線架搭兩個(gè)芯片，芯片局部銀，其他引線框架用鎳鈀金，材料差異對(duì)引線框架制作是很大的技術(shù)挑戰(zhàn)。

功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等?？煞譃楣β蔍C和功率分立器件兩大類(lèi)，二者集成為功率模塊（包含MOSFET/IGBT模塊、IPM模塊、PIM模塊）。隨著電力電子模塊的功率密度、工作溫度及其對(duì)可靠性的要求越來(lái)越高，當(dāng)前的封裝材料已經(jīng)達(dá)到了應(yīng)用極限。

使用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片使器件結(jié)溫可以超過(guò)200°C。因此，GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片可以大幅降低功率限額，或者在確保電流相同的情況下縮小芯片尺寸，從而降低電力成本。

GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片（DTS+TCB（Die Top System +Thick Cu Bonding）可以廣泛用于：Die Attach, Die Top Attach, Spacer Attach等。
采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片的Diffusion Soldering（擴(kuò)散焊）技術(shù)。簡(jiǎn)而言之，就是在特定溫度和壓力條件下，使得SiC芯片的背面金屬，與Lead Frame表面金屬產(chǎn)生原子的相互擴(kuò)散，形成可靠的冶金連接，以釜底抽薪之勢(shì)，一舉省去中間焊料，所謂大道至簡(jiǎn)、惟精惟一，惟GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片。一言以蔽之：采用了GVF預(yù)燒結(jié)銀焊片時(shí)，降低器件穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)熱阻，同時(shí)提高器件可靠性。