供應(yīng)商	深圳市金輝照明有限公司店鋪
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報(bào)價(jià)	面議
關(guān)鍵詞	DM-3014WW,貼片led功率0.2W,正向電壓降3.0-3.4(V),led燈帶定制
所在地	廣東深圳光明新區(qū)合水口第四工業(yè)區(qū)第4期第四棟4號(hào)樓602

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

大功率LED不可歸類到貼片系列，它們功率及電流使用皆不相同，且光電參數(shù)相差甚巨。單顆大功率LED光源如未加散熱底座（一般為六角形鋁質(zhì)座），它的外觀與普通貼片無(wú)太大差距，大功率LED光源呈圓形，封裝方式基本與SMD貼片相同，但與SMD貼片在使用條件/環(huán)境/效果等都有著本質(zhì)上的區(qū)別。

電壓：LED燈珠使用低壓電源，供電電壓在 2-4V之間，根據(jù)產(chǎn)品不同而異，所以驅(qū)動(dòng)它的是一個(gè)比高壓電源更安全的電源，特別適用于公共場(chǎng)所；電流：工作電流在0—15mA，亮度隨電流的增大而變亮效能：消耗能量較同光效的白熾燈減少 80%。

亮度 LED燈珠的亮度不同，價(jià)格不同。燈珠：一般亮度為60-70 lm；球泡燈：一般亮度為80-90 lm。 1W紅光，亮度一般為30-40 lm；1W綠光，亮度一般為60-80 lm；1W黃光，亮度一般為30-50 lm；1W藍(lán)光，亮度一般為20-30 lm。注：1W亮度為60-110lm；3W亮度高可達(dá)240lm；5W-300W是集成芯片，用串/并聯(lián)封裝，主要看多少電流，電壓，幾串幾并。 LED透鏡：一次透鏡一般用PMMA、PC、光學(xué)玻璃、硅膠（軟硅膠，硬硅膠）等材料。角度越大出光效率越高，用小角度的LED透鏡，光線要射得遠(yuǎn)的。

半導(dǎo)體發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器類似，也是一個(gè)PN結(jié)，也是利用外電源向PN結(jié)注入電子來(lái)發(fā)光的。半導(dǎo)體發(fā)光二極管記作LED，是由P型半導(dǎo)體形成的P層和N型半導(dǎo)體形成的N層，以及中間的由雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)成的有源層組成。有源層是發(fā)光區(qū)，其厚度為0.1～0.2μm左右。

半導(dǎo)體發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，體積小，工作電流小，使用方便，成本低，所以在光電系統(tǒng)中的應(yīng)用極為普遍。在正向偏置下，半導(dǎo)體PN結(jié)或與其類似的結(jié)構(gòu)能夠發(fā)出可見(jiàn)光或近紅外光，這種把電能直接轉(zhuǎn)換為光能的器件稱為發(fā)光二極管，簡(jiǎn)稱LED。

發(fā)光是物體內(nèi)部以某種方式儲(chǔ)存的能量轉(zhuǎn)化為光輻射的過(guò)程。發(fā)光物體的光輻射是材料中受激發(fā)的電子躍遷到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生的。半導(dǎo)體（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體）發(fā)光二極管屬于電流激發(fā)的電致發(fā)光器件。

電致發(fā)光現(xiàn)象發(fā)現(xiàn)于1923年，當(dāng)時(shí)并沒(méi)有引起人們的注意。隨著近代技術(shù)的發(fā)展，對(duì)發(fā)光器件提出了新的要求，希望發(fā)光管簡(jiǎn)單、可靠、壽命長(zhǎng)、價(jià)格低、小型化。所以自60年代開(kāi)始電致發(fā)光的研究非常活躍。

此式稱為玻爾條件。式中h=6.626×10-34J·s。當(dāng)發(fā)光二極管工作時(shí)，在正偏下，通常半導(dǎo)體的空導(dǎo)帶被通過(guò)結(jié)向其中注入的電子所占據(jù)，這些電子與價(jià)帶上的空穴復(fù)合，放射出光子，這就產(chǎn)生了光。發(fā)射的光子能量近似為特定半導(dǎo)體的導(dǎo)帶與價(jià)帶之間的帶隙能量。這種自然發(fā)射過(guò)程叫作自發(fā)輻射復(fù)合（圖1）。顯然，輻射躍遷是復(fù)合發(fā)光的基礎(chǔ)。注入電子的復(fù)合也可能是不發(fā)光的，即非輻射復(fù)合。在非輻射復(fù)合的情況下，導(dǎo)帶電子失去的能量可以變成多個(gè)聲子，使晶體發(fā)熱，這種過(guò)程稱為多聲子躍遷；也可以和價(jià)帶空穴復(fù)合，把能量交給導(dǎo)帶中的另一個(gè)電子，使其處于高能態(tài)，再通過(guò)熱平衡過(guò)程把多余的能量交給晶格，這種過(guò)程稱為俄歇復(fù)合。隨著電子濃度的提高，這種過(guò)程將變得更加重要。帶間躍遷時(shí)，輻射復(fù)合和非輻射復(fù)合的兩種過(guò)程相互競(jìng)爭(zhēng)。有的發(fā)光材料表現(xiàn)為輻射復(fù)合占優(yōu)勢(shì)。

①提高內(nèi)量子效率,要求盡量減少晶體缺陷和有害雜質(zhì)；②提高外量子效率，結(jié)構(gòu)要便于光收集、提取和發(fā)射；③可以用攜載信息的輸出電流直接對(duì)光輸出進(jìn)行高速率的調(diào)制；④結(jié)構(gòu)要有利于散熱，減少因結(jié)溫上升引起光功率下降；⑤要有高的輻射度，因此應(yīng)用直接帶隙半導(dǎo)體和能夠在高電流密度下驅(qū)動(dòng)的結(jié)構(gòu)。