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MiniMEMS光衰減器

更新時(shí)間1:2025-10-02 信息編號(hào):8924e0fap9c50e 舉報(bào)維權(quán)
MiniMEMS光衰減器
MiniMEMS光衰減器
MiniMEMS光衰減器
MiniMEMS光衰減器
MiniMEMS光衰減器
MiniMEMS光衰減器
供應(yīng)商 四川梓冠光電科技有限公司 店鋪
認(rèn)證
報(bào)價(jià) 面議
品牌 其它
材質(zhì) 鋁合金
工作溫度 低溫
關(guān)鍵詞 MEMS光衰減器,光衰減器,MINI光衰減器,衰減器
所在地 四川綿陽市經(jīng)開區(qū)文武中路218號(hào)(電子制造產(chǎn)業(yè)園)16幢3層
胡玉涵
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10年

產(chǎn)品詳細(xì)介紹

抗彎曲Mini MEMS光衰減器


特性



高穩(wěn)定性



高可靠性


低插入損耗


反應(yīng)迅速


體積小


應(yīng)用領(lǐng)域




傳輸光功率高




光路功率平衡


信道傳輸均衡


光自動(dòng)增益調(diào)節(jié)


光接收機(jī)的保護(hù)


光路通斷


規(guī)格參數(shù)




參數(shù)


單位


指標(biāo)


備注


波長(zhǎng)范圍


nm


1260-1650nm or 980nm/1064nm



衰減類型



Normally bright or dark



衰減范圍


dB


≥30



大衰減范圍


dB


≥45



插入損耗


dB


≤0.7 (0.5 典型)


不含連接頭損耗


衰減類型



連續(xù)



波長(zhǎng)相關(guān)損耗


dB


≤0.1


在0dB測(cè)試


≤1


在20dB測(cè)試




紋波


dB


≤0.05


0.4nm 帶寬在20dB測(cè)試


偏振相關(guān)損耗


dB


≤0.1


在0dB測(cè)試


≤1


在20dB測(cè)試




溫度相關(guān)損耗


dB


≤0.15


在0dB測(cè)試比較


≤1


在20dB測(cè)試比較




回波損耗


dB


≥55



偏振模色散


ps


≤0.5



響應(yīng)時(shí)間


ms


≤2  (1 典型)


10-90% 光功率


承受光功率


mW


300



驅(qū)動(dòng)電壓


VDC


6V


在5.2v 典型是40db


功耗


mW


≤2



工作溫度


oC


0 to 70



貯藏溫度


oC


-40 to 85


所屬分類:光學(xué)儀器/光學(xué)配件

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