金鹽回收中的超細(xì)粉末處理技術(shù)
納米級金粉（<100 nm）的特殊處理方法：

1. 防團(tuán)聚措施
表面修飾：

十二烷基硫醇（DDT）單分子層

PEG-2000空間位阻劑

分散工藝：

超聲破碎（20 kHz, 500 W）

微射流均質(zhì)（壓力2000 bar）

2. 干燥技術(shù)
方法 粒徑變化 比表面保留率
噴霧干燥 +50% 60%
冷凍干燥 +15% 85%
超臨界干燥 +5% 95%
3. 安全防護(hù)
爆炸下限：60 g/m3（需惰性氣氛保護(hù)）

個(gè)人防護(hù)：

正壓式呼吸器

防靜電工作服

應(yīng)用領(lǐng)域：

導(dǎo)電油墨（粒徑要求20±5 nm）

醫(yī)療顯影劑（需無菌處理）

金鹽回收中的壓擠壓技術(shù)
高壓處理電子廢料實(shí)現(xiàn)金屬解離：

設(shè)備參數(shù)
壓力：5-8 GPa（相當(dāng)于地核壓力）

沖頭速度：1-2 mm/s

模具材料：硬質(zhì)合金（HV>2000）

解離效果
物料 解離度 金裸露率
手機(jī)主板 95% 90%
CPU芯片 85% 75%
后續(xù)處理：

氣流分選（密度差異）

靜電分離（導(dǎo)電性差異）

優(yōu)勢：

無化學(xué)試劑添加

處理速度200 kg/h

金鹽回收中的選擇性化學(xué)鍍技術(shù)
化學(xué)鍍技術(shù)可在非導(dǎo)電基材上選擇性沉積金層，適用于電子廢料中微米級金線路的回收：

鍍液配方優(yōu)化
組分 濃度范圍 功能作用
氯金酸（HAuCl?） 1-3 g/L 金離子來源
還原劑（DMAB） 2-5 g/L 電子供體（E°=-1.18 V）
絡(luò)合劑（EDTA） 10-15 g/L 穩(wěn)定Au3?，抑制自發(fā)分解
pH調(diào)節(jié)劑 維持7.5-8.5 硼酸鈉緩沖體系
工藝特性
沉積速率：0.5-2 μm/h（40-60°C）

選擇性：通過光刻膠圖形化實(shí)現(xiàn)局部沉積（精度±5 μm）

鍍層性能：

電阻率2.3 μΩ·cm（接近體材料）

結(jié)合力>30 MPa（劃痕測試）

應(yīng)用案例：

日本日礦金屬處理廢棄FPC板，金回收率>98%

缺陷控制：鍍液壽命約8-10個(gè)金屬周轉(zhuǎn)（需定期過濾再生）

金鹽回收中的選擇性沉淀技術(shù)
選擇性沉淀是濕法冶金中分離金鹽的核心工藝，其原理基于不同金屬離子在特定pH和配體條件下的溶解度差異。常用的沉淀劑包括：

亞硫酸鈉（Na?SO?）：在pH=2-3時(shí)選擇性沉淀Au?，反應(yīng)效率>99%，同時(shí)抑制Cu2?、Ni2?共沉淀。

草酸（H?C?O?）：80℃下還原Au3?為金屬金，產(chǎn)物純度99.9%，但需控制Fe3?干擾。

硫化鈉（Na?S）：生成Au?S沉淀，適用于含汞廢液處理，但需嚴(yán)格調(diào)控硫化物濃度以避免膠體形成。

工藝優(yōu)化關(guān)鍵點(diǎn)：

pH控制：采用自動(dòng)滴定系統(tǒng)（精度±0.05），確保Au沉淀率>99.5%

晶種添加：引入納米金顆粒（5-10nm）作為晶種，縮短誘導(dǎo)期50%

絮凝劑選擇：聚丙烯酰胺（PAM）使沉淀顆粒從0.1μm增大至5μm，過濾速度提升3倍

工業(yè)案例：

日本田中貴金屬的連續(xù)沉淀系統(tǒng)，處理能力2m3/h，尾液含金<0.1mg/L

缺陷控制：通過XRD分析發(fā)現(xiàn)過度攪拌會(huì)導(dǎo)致β-Au?O?雜相生成（需限制剪切速率<500s?1）

金鹽回收中的選擇性電沉積技術(shù)
選擇性電沉積通過控制電位實(shí)現(xiàn)多金屬溶液中金的回收：

技術(shù)原理
極化曲線分析：

Au(CN)??還原電位：-0.6 V vs SHE

Cu(CN)?2?還原電位：-1.1 V vs SHE

電位窗口控制：

工作電位-0.7至-0.9 V（抑制銅共沉積）

脈沖電位（正向-0.65 V，反向-0.3 V）

電極系統(tǒng)設(shè)計(jì)
組件 規(guī)格要求 功能特點(diǎn)
陰極 三維多孔碳（比表面積800 m2/g） 增大沉積面積，降低局部電流密度
陽極 鈦基混合金屬氧化物（MMO） 氧析出過電位高（>1.2 V）
隔膜 陰離子交換膜（DF-120） 阻止Cu(CN)?2?遷移
工藝指標(biāo)：

電流效率：92-95%

金純度：99.99%（Cu<5 ppm）

能耗：0.5 kWh/g Au

工業(yè)案例：

加拿大Mint電解廠采用此技術(shù)處理含Cu 20 g/L的廢液，金回收率99.3%

金鹽回收濕法冶金回收技術(shù)
濕法工藝適合低濃度金鹽回收，核心步驟包括：

浸出系統(tǒng)

氰化浸出：NaCN濃度0.1-0.5%，pH10.5-11.5，DO>6mg/L

非氰浸出：硫脲（CS(NH?)?）體系，濃度1-2%，F(xiàn)e3?作氧化劑

固液分離

板框過濾：精度1μm，處理量2-5m3/h

離心分離：3000rpm，固相含金<0.1g/t

富集提純

活性炭吸附：CIL工藝，金負(fù)載量8-15kg/t炭

溶劑萃?。杭谆惗』∕IBK）萃取率>99%

還原沉淀

鋅粉置換：Zn/Au比3:1，反應(yīng)時(shí)間30min

草酸還原：pH1.5-2.0，溫度80-90℃

經(jīng)濟(jì)性對比：

方法 成本(USD/kg Au) 回收率 適用濃度
氰化 850-1200 98% >1g/t
硫脲 1500-1800 95% 0.1-1g/t
樹脂 2000-2500 92% <0.1g/t

金鹽回收電解回收技術(shù)
電解法直接處理含金電解液，關(guān)鍵技術(shù)參數(shù)：

電解槽設(shè)計(jì)

陰極：鈦網(wǎng)（表面積2-5m2/m3）

陽極：DSA涂層鈦電極（IrO?-Ta?O?）

極距：50-100mm

工藝控制

電流密度：100-300A/m2

槽電壓：2.5-4.5V

溫度：50-70℃

流速：0.3-0.8m/s

產(chǎn)品特征

陰極金純度：99.95-99.99%

電流效率：85-92%

能耗：0.8-1.2kWh/g Au

創(chuàng)新應(yīng)用：

脈沖電解：占空比1:5，晶粒尺寸減小40%

流化床電解：處理濃度低至10mg/L

金鹽回收電解回收的動(dòng)力學(xué)研究
金鹽回收電解過程受傳質(zhì)與電荷轉(zhuǎn)移雙重控制，其動(dòng)力學(xué)特性表現(xiàn)為：

陰極反應(yīng)機(jī)理：

主反應(yīng)：Au(CN)?? + e? → Au + 2CN?（標(biāo)準(zhǔn)電位-0.6V vs SHE）

競爭反應(yīng)：2H? + 2e? → H?↑（需維持pH>10抑制析氫）

關(guān)鍵動(dòng)力學(xué)參數(shù)：

參數(shù) 典型值 影響規(guī)律
交換電流密度j? 1.2×10?3 A/cm2 隨溫度升高呈指數(shù)增長
傳遞系數(shù)α 0.52 與電極表面粗糙度正相關(guān)
擴(kuò)散層厚度δ 50-100μm 與流速的-0.5次方成正比
強(qiáng)化措施：

脈沖電解：采用占空比1:4的方波（f=50Hz），使晶粒尺寸從20μm降至5μm

流體擾動(dòng)：在電解槽中設(shè)置靜態(tài)混合器，極限電流密度提升至350A/m2

添加劑調(diào)控：添加1ppm的Pb2?可使沉積過電位降低120mV



金鹽回收純化與回收技術(shù)
高鹽制備工藝：

化學(xué)精制

王水溶解：HCl:HNO?=3:1，溫度70-80℃

還原劑選擇：

SO?：純度99.99%，但需尾氣處理

抗壞血酸：環(huán)保型，成本較高

電解精煉

電解液組成：HAuCl? 80-120g/L，HCl 80-150g/L

添加劑：明膠0.1-0.3g/L改善結(jié)晶

區(qū)域熔煉

溫度梯度：150℃/cm

通過次數(shù)：10-15次

終純度：99.999-99.9999%

質(zhì)量控制點(diǎn)：

痕量元素：ICP-MS檢測（ppt級）

晶體形貌：SEM觀察（避免枝晶）

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