深圳集四海鉭鈮化驗(yàn)作為的第三方公正檢測機(jī)構(gòu),賽德檢測實(shí)驗(yàn)室具有CMA計(jì)量認(rèn)證和CNAS認(rèn)可資質(zhì)。檢測能力涵蓋國家GB、QB、特定企業(yè)標(biāo)準(zhǔn)以及國際EN,ISO,BIFMA,ASTM,ANSI,DIN等標(biāo)準(zhǔn)。服務(wù)項(xiàng)目涉及家具、板材、紡織品、皮革、五金、海綿、木制品、紙、輕工產(chǎn)品及原輔材料的檢測。
研究表明,影響氮化鉭薄膜結(jié)合力的主要因素為濺射壓力和加熱溫度,氮分壓比、濺射電流為次要因素;氮分壓對氮化鉭薄膜的硬度影響較大
氮化鉭為黑色六方結(jié)晶。相對密度為13.4,熔點(diǎn)為3090℃,顯微硬度為1100kg/mm2,熱導(dǎo)率為9.54W/(m·K),電阻率為128μΩ·cm
利用磁控反應(yīng)濺射技術(shù)制備了氮化鉭薄膜,利用TEM、XRD技術(shù)研究了薄膜的微觀結(jié)構(gòu)。研究結(jié)果表明:薄膜中多相共存;薄膜晶粒細(xì)?。ǎ保叮睿碜笥遥煌瑫r還發(fā)現(xiàn),在一定工作壓力下,隨著氮分壓的提高,氮化物晶粒形成的取向改變,即平行于基體表面生長的晶面會有改變。
氮化鉭貯存
1、通常對水是不危害的,若無許可,勿將材料排入周圍環(huán)境。
2、常溫常壓下穩(wěn)定避免的物料 氧化物。
3、常溫密閉,陰涼通風(fēng)干燥處
用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕
氮化鉭靶材----氮化鉭(Tantalum mononitride)是一種化工材料,分子式為TaN,分子量為194.95。
用來制造片狀電阻的材料,氮化鉭電阻則可抵抗水汽的侵蝕。 在制造集成電路的過程中,這些膜沉積在硅晶片的頂部,以形成薄膜表面貼裝電阻
氮化鉭---暗灰色粉末。六方晶結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)α=0.518nm。密度14.36g/cm3。熔點(diǎn)3090℃,電阻率(180±10) μΩ·cm。顯微硬度(106±75)MPa,超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度1.2K。耐酸性能好,不溶于硝酸、鹽酸和氟氫酸,易被硫酸和硝酸和過氧化氫混合液氧化。易和碳化鉭生成類質(zhì)同晶混合物,和氮化鉿、碳化鉿互溶。在1400℃以上真空中加熱易分解。與氫氧化鉀作用分解放出氨。由五氯化鉭和氨氣反應(yīng)或700~1000℃下使鉭粉和氮?dú)夥磻?yīng)生成。冶金中利用氮化鉭分解制取高純鉭粉。利用其電阻溫度小的特點(diǎn)制造電阻薄膜器件。
又稱“氧化鉭”?;瘜W(xué)式Ta2O5。含O18.1%。酸性氧化物,結(jié)晶形白色粉末或無色難溶性粉末。相對密度8.2,熔點(diǎn)1872℃±10℃。有多種同素異形體,其中β-Ta2O5在1360℃以下穩(wěn)定存在,斜方晶系,a=6.192×10-8cm、b=44.02×10-8cm,c=3.898×10-8cm;而α-Ta2O5在熔點(diǎn)以下穩(wěn)定存在,四方晶系,a=3.81×10-8cm、c=35.67×10-8cm、c/a=9.36。不溶于水、醇、礦酸類和堿溶液,溶于氫氟酸和熔融的堿或焦硫酸鉀。
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