燒結銀AS9376的關鍵特性適配HPC需求
性能指標 AS9376參數 HPC需求匹配性：燒結溫度? ≤180℃（峰值溫度） 兼容低溫封裝工藝（避免熱損傷）

燒結銀AS9376燒結銀的導電率? ≥1×10? S/cm（燒結后） 支持高密度互連（電阻率低至1.6 μΩ·cm）
?熱膨脹系數（CTE）?? 可定制（≈5-8 ppm/℃） 匹配硅/陶瓷基板（ΔCTE <5 ppm/℃）

燒結銀AS9376的致密化率? >95%（常壓燒結） 減少孔隙率（<2%）提升可靠性
?附著力? ≥45 MPa（劃格法） 抗機械應力（滿足芯片堆疊需求）

燒結銀AS9376實施建議與驗證方法
?燒結曲線設計：
推薦兩段式工藝：150℃預燒結（5 min）+峰值溫度180℃（3℃/s升溫，10 min保溫）。

燒結銀AS9375的可靠性測試：
PCT測試（100 bar/85℃）評估體積變化率（ΔV/V <0.5%）。
高溫加速老化（85℃/85%RH/1000小時）監(jiān)測電阻漂移率。

若需進一步探討燒結銀AS9376在特定HPC應用（如量子計算芯片互連）中的定制化方案，或需要具體測試數據支持，請?zhí)峁└嗉夹g細節(jié)或合作需求。

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