產(chǎn)品別名 |
原生多晶 |
面向地區(qū) |
全國(guó) |
多晶硅的生產(chǎn)技術(shù)主要為改良西門(mén)子法和硅烷法。西門(mén)子法通過(guò)氣相沉積的方式生產(chǎn)柱狀多晶硅，為了提高原料利用率和環(huán)境友好，在前者的基礎(chǔ)上采用了閉環(huán)式生產(chǎn)工藝即改良西門(mén)子法。該工藝將工業(yè)硅粉與HCl反應(yīng)，加工成SiHCl3 ，再讓SiHCl3在H2氣氛的還原爐中還原沉積得到多晶硅。還原爐排出的尾氣H2、SiHCl3、SiCl4、SiH2Cl2 和HCl經(jīng)過(guò)分離后再循環(huán)利用。硅烷法是將硅烷通入以多晶硅晶種作為流化顆粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶種上沉積，從而得到顆粒狀多晶硅。改良西門(mén)子法和硅烷法主要生產(chǎn)電子級(jí)晶體硅，也可以生產(chǎn)太陽(yáng)能級(jí)多晶硅。
硅烷熱分解法與西門(mén)子法相比，其優(yōu)點(diǎn)主要在于：硅烷較易提純，含硅量較高（87.5%，分解速度快，分解率高達(dá)99%），分解溫度較低，生成的多晶硅的能耗僅為40 kW ·h/kg，且產(chǎn)品純度高。但是缺點(diǎn)也：硅烷不但制造成本較高，而且易燃、易爆、安全性差，國(guó)外曾發(fā)生過(guò)硅烷工廠強(qiáng)烈爆炸的事故。因此，工業(yè)生產(chǎn)中，硅烷熱分解法的應(yīng)用不及西門(mén)子法。改良西門(mén)子法目前雖擁有大的市場(chǎng)份額，但因其技術(shù)的固有缺點(diǎn)—產(chǎn)率低，能耗高，成本高，資金投入大，資金回收慢等，經(jīng)營(yíng)風(fēng)險(xiǎn)也大。
在太陽(yáng)能利用上，單晶硅和多晶硅也發(fā)揮著的作用。要使太陽(yáng)能發(fā)電具有較大的市場(chǎng)，被廣大的消費(fèi)者接受，就提高太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本。從國(guó)際太陽(yáng)電池的發(fā)展過(guò)程可以看出其發(fā)展趨勢(shì)為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。
———— 認(rèn)證資質(zhì) ————
最近來(lái)訪記錄
