產(chǎn)品別名 |
地坪拋光液 |
面向地區(qū) |
全國 |
CMP技術(shù)綜合了化學(xué)和機械拋光的優(yōu)勢：單純的化學(xué)拋光，拋光速率較快，表面光潔度高，損傷低，平整性好，但表面平整度和平行度差，拋光后表面一致性差；單純的機械拋光表面一致性好，表面平整度高，但表面光潔度差，損傷層深。化學(xué)機械拋光可以獲得較為平整的表面，又可以得到較高的拋光速率，得到的平整度比其他方法高兩個數(shù)量級，是能夠?qū)崿F(xiàn)全局平面化的有效方法。
氧化鈰拋光液，氧化鈰拋光液是以微米或亞微米級CeO2為磨料的氧化鈰研磨液，該研磨液具有分散性好、粒度細、粒度分布均勻、硬度適中等特點。適用于高精密光學(xué)儀器，光學(xué)鏡頭，微晶玻璃基板，晶體表面、集成電路光掩模等方面的精密拋光。氧化鋁和碳化硅拋光液，是以超細氧化鋁和碳化硅微粉為磨料的拋光液，主要成分是微米或亞微米級的磨料。主要用于高精密光學(xué)儀器、硬盤基板、磁頭、陶瓷、光纖連接器等方面的研磨和拋光。
氧化鋁拋光液的硬度高，穩(wěn)定性好，納米級的氧化鋁適用于光學(xué)鏡頭、單芯光纖連接器、微晶玻璃基板、晶體表面等的精密拋光，應(yīng)用相當廣泛。當前，以高亮度GaN基藍光LED為核心的半導(dǎo)體照明技術(shù)在照明領(lǐng)域引起了很大的轟動，并成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域研究的熱點。但GaN很難制備，在其它襯底晶片上外延生長薄膜，如藍寶石晶片或碳化硅晶片，因此晶片的拋光也成為關(guān)注的焦點。
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