半導(dǎo)體IC制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項(xiàng)基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴(kuò)散、外延生長(zhǎng)及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來(lái)，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過(guò)程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。因此在制作過(guò)程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造步驟如高溫?cái)U(kuò)散、離子植入前等均需要進(jìn)行濕法清洗或干法清洗工作。干、濕法清洗工作是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)溶液或氣體清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子及有機(jī)物之雜質(zhì)。

硅片清洗花籃及提把耐強(qiáng)酸，強(qiáng)堿，耐有機(jī)溶劑，質(zhì)地柔軟，不損傷硅片，不沾污硅片。專為半導(dǎo)體光伏光電等行業(yè)設(shè)計(jì)的，一體成型，無(wú)需擔(dān)心漏液。主要用于浸泡、清洗帶芯片硅片電池片的花籃。由于PFA的特點(diǎn)它能耐受清洗溶液的腐蝕性，同時(shí)金屬元素空白值低，無(wú)溶出無(wú)析出，不會(huì)污染芯片晶圓等。

對(duì)水及許多有機(jī)溶液的浸潤(rùn)性能都很差。具有的耐大氣老化性和不燃性。長(zhǎng)期暴露于大氣中，性能仍保持不變。在正常條件下，聚四氟乙烯是完全不燃的。化學(xué)穩(wěn)定性能優(yōu)良。除元素氟和熔融狀態(tài)的金屬鈉對(duì)其制品有一定腐蝕作用外，幾乎所有強(qiáng)酸、強(qiáng)堿、強(qiáng)氧化劑和有機(jī)溶劑對(duì)它都不起作用，素有“塑料王”之稱。

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